重庆组织开展2020年电力直接交易：一般工商业用户正式获准入场

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一直从事纳米材料化学与纳米器件研究，力直当前研究兴趣包括石墨烯、力直拓扑绝缘体、二维硫族半导体等高迁移率二维材料的制备方法、化学调制与光电器件应用基础研究。图3.石墨烯在金属表面的生长示意图在制备高质量石墨烯的过程中，接交往往需要引入氢气来促进碳源裂解，提高石墨烯的均匀性和质量。1983年毕业于长春工业大学，易用户1984年留学日本，1990年获东京大学博士，1991－1993年东京大学和国立分子科学研究所博士后。

还担任国家自然科学基金委员会第十四届专家评审组专家、般工中国化学会常务理事及纳米化学专业委员会创始主任、中国微米纳米技术学会常务理事。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，商业投稿邮箱[email protected]。

文献链接：获准BridgingtheGapbetweenRealityandIdealinChemicalVaporDepositionGrowthofGraphene.（Chem.Rev.118,18,9281-9343.DOI:10.1021/acs.chemrev.8b0032）【部分参考文献】[1]   X.Li,W.Cai,L.Colombo,etal.Evolutionofgraphenegrowthonniandcubycarbonisotopelabeling[J].NanoLett,2009,9(12):4268-72.[2]   W.Liu,S.Kraemer,D.Sarkar,etal.Controllableandrapidsynthesisofhigh-qualityandlarge-areabernalstackedbilayergrapheneusingchemicalvapordeposition[J].ChemMater,2014,26(2):907-15.[3]   K.Yan,H.Peng,Y.Zhou,etal.Formationofbilayerbernalgraphene:Layer-by-layerepitaxyviachemicalvapordeposition[J].NanoLett,2011,11(3):1106-10.[4]   L.Liu,H.Zhou,R.Cheng,etal.High-yieldchemicalvapordepositiongrowthofhigh-qualitylarge-areaab-stackedbilayergraphene[J].ACSNano,2012,6(9):8241-9.[5]   Y.Hao,L.Wang,Y.Liu,etal.Oxygen-activatedgrowthandbandgaptunabilityoflargesingle-crystalbilayergraphene[J].NatureNanotechnology,2016,11(426).[6]   T.Ma,Z.Liu,J.Wen,etal.Tailoringthethermalandelectricaltransportpropertiesofgraphenefilmsbygrainsizeengineering[J].NatureCommunications,2017,8(14486).[7]   X.Li,C.W.Magnuson,A.Venugopal,etal.Graphenefilmswithlargedomainsizebyatwo-stepchemicalvapordepositionprocess[J].NanoLett,2010,10(11):4328-34.[8]   H.Zhou,W.J.Yu,L.Liu,etal.Chemicalvapourdepositiongrowthoflargesinglecrystalsofmonolayerandbilayergraphene[J].NatureCommunications,2013,4(2096).[9]   X.Li,C.W.Magnuson,A.Venugopal,etal.Large-areagraphenesinglecrystalsgrownbylow-pressurechemicalvapordepositionofmethaneoncopper[J].JAmChemSoc,2011,133(9):2816-9.[10] A.Mohsin,L.Liu,P.Liu,etal.Synthesisofmillimeter-sizehexagon-shapedgraphenesinglecrystalsonresolidifiedcopper[J].ACSNano,2013,7(10):8924-31.[11] J.-H.Lee,E.K.Lee,W.-J.Joo,etal.Wafer-scalegrowthofsingle-crystalmonolayergrapheneonreusablehydrogen-terminatedgermanium[J].Science,2014,344(6181):286-9.[12] L.Gao,W.Ren,H.Xu,etal.Repeatedgrowthandbubblingtransferofgraphenewithmillimetre-sizesingle-crystalgrainsusingplatinum[J].NatureCommunications,2012,3(699).[13] Z.Zhang,J.Du,D.Zhang,etal.Rosin-enabledultracleananddamage-freetransferofgrapheneforlarge-areaflexibleorganiclight-emittingdiodes[J].NatureCommunications,2017,8(14560).团队简介刘忠范中科院院士，获准教授北京大学化学与分子工程学院个人简介北京大学博雅讲席教授（2016.11.21）、中国科学院院士（2011.12.10）、发展中国家科学院院士（2015.11）。

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开展（d）嵌入相及周围相的SEM图像。之后，年电对样品进行激光扫描，引起涂层的重熔和固化。

力直将锆金属粉末沉积在Ti6Al4V合金基底上。这种环境控制，接交可以防止任何有害氧化和火灾危险。